Doping

Sifat silicon dapat diubah menjadi konduktor dengan menyuntikan sedikit kotoran (impurity, lawan dari kemurnian) ke dalamnya. Proses impuritas kristal silicon ini disebut dengan doping. Ada dua tipe impuritas : tipe-n dan tipe-p.
Pada doping tipe-n, sejumlah kecil fosfor atau arsenik ditambahkan ke dalam silicon. Fosfor dan arsenik masing-masing memiliki lima elektron terluar sehingga mereka akan kehabisan tempat ketika masuk ke dalam kisi silicon. Elektron kelima tidak memiliki pasangan yang memungkinkan dia bebas bergerak.
Hanya dibutuhkan sedikit kotoran untuk menciptakan elektron bebas yang cukup untuk memungkinkan arus listrik mengalir melalui silicon. Silicon tipe-n adalah konduktor yang baik. Karena memiliki elektron muatan negatif, silicon ini dikenal dengan nama tipe-n.

Pada doping tipe-p, kotoran yang digunakan adalah boron atau galium. Keduanya memiliki tiga elektron terluar yang akan membentuk “lubang” ketika dimasukan kedalam kisi, karena salah satu elektron silicon tidak memiliki pasangan. Lubang ini dengan sukarela menerima elektron tetangga yang bisa melintas di dalamnya.
Absennya satu elektron ini menciptakan efek muatan positif. Dari sanalah nama tipe-p diperoleh. Silicon tipe-p adalah konduktor yang baik. Sejumlah kecil doping tipe-n dan tipe-p ini dapat mengubah kristal silicon dari sebuah insulator yang baik menjadi konduktor yang layak (meski tidak hebat). Itulah mengapa nama semikonduktor di sematkan padanya.